DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is a 40V MOSFET with a low RDS(ON) that minimizes on-state losses. The device offers low input capacitance and fast switching speed. Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified for AEC-Q101 and is supported by a PPAP.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Hoja de datos
15En existencias
10,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Hoja de datos
2,000Se espera el 4/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape