Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Cantidad RoHS
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Mult.: 5,000
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
Carrete: 5,000
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DPAK 30V 4.1MO
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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

onsemi NTMFS016N06CT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

onsemi NTTFS5CS73NLTAG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500