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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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NVTFS5C670NLWFTAG
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NVTFS5C673NLWFTAG
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NVMFS5C468NLWFAFT1G
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NVMFS5C646NLWFAFT1G
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NVMFS5C646NLWFAFT1G

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NVMJS2D5N06CLTWG
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NVMJS2D5N06CLTWG

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NVTFS4C05NTAG
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NVTFS4C05NTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NWFTAG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

NVTFS4C25NTAG
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NVTFS4C25NTAG

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863-NVTFS4C25NTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C680NLWFTAG
onsemi
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968En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C680NLWFTAG

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863-NVTFS5C680NWFTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL

NTTFS5C680NLTAG
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NTTFS5C680NLTAG

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863-NTTFS5C680NLTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFS016N06CT1G
onsemi
1: $1.74
1,500En existencias

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NVMFS016N06CT1G

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863-NVMFS016N06CT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLWFT1G
onsemi
1: $5.18
7,500Se espera el 18/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C650NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C650NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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7,500Se espera el 18/2/2026

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$5.18

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$2.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

NTMFS5C670NLT3G
onsemi
1: $0.82
8,385En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C670NLT3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS001N06CLTXG
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1: $3.93
5,998Se espera el 9/6/2027

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NTMTS001N06CLTXG

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863-NTMTS001N06CLTXG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

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5,998Se espera el 9/6/2027

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
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3,000Se espera el 13/3/2026

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NTMYS1D2N04CLTWG

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863-NTMYS1D2N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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3,000Se espera el 13/3/2026

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$2.78

$1.79

$1.44

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$0.847

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NTMYS2D9N04CLTWG
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1: $2.94
3,000Se espera el 9/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D9N04CLTWG

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863-NTMYS2D9N04CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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3,000Se espera el 9/2/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS4D6N04CLTWG
onsemi
1: $2.06
3,000Se espera el 3/4/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS4D6N04CLTWG

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863-NTMYS4D6N04CLTWG

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3,000Se espera el 3/4/2026

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$2.06

$1.32

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$0.891

$0.66

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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