|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R600P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.47
-
196En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
196En existencias
10,000En pedido
Existencias:
196 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5,000 Se espera el 31/12/2026
5,000 Se espera el 18/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
|
|
|
$2.47
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.861
|
|
|
$0.792
|
|
|
$0.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
8 A
|
510 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
60 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.19
-
1,388En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,388En existencias
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.943
|
|
|
$0.749
|
|
|
$0.689
|
|
|
$0.618
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
6 A
|
1.2 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
52 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R450P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.22
-
16En existencias
-
2,500Se espera el 18/3/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
16En existencias
2,500Se espera el 18/3/2027
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
14 A
|
450 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R085P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.55
-
46En existencias
-
3,000Se espera el 15/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
46En existencias
3,000Se espera el 15/10/2026
|
|
|
$6.55
|
|
|
$4.33
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
39 A
|
73 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
51 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
154 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R105P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.36
-
472En existencias
-
6,000Se espera el 7/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
472En existencias
6,000Se espera el 7/10/2026
|
|
|
$5.36
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.25
|
|
|
$2.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
VSON-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
33 A
|
85 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
45 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
137 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R360P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.60
-
3,365En existencias
-
9,000Se espera el 1/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,365En existencias
9,000Se espera el 1/10/2026
|
|
|
$1.60
|
|
|
$0.991
|
|
|
$0.654
|
|
|
$0.513
|
|
|
$0.45
|
|
|
$0.354
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
300 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
7 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R600P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.29
-
430En existencias
-
9,000Se espera el 26/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
430En existencias
9,000Se espera el 26/11/2026
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.799
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.427
|
|
|
$0.375
|
|
|
$0.306
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6 A
|
490 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
9 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
7 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
4,613En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,613En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.615
|
|
|
$0.40
|
|
|
$0.308
|
|
|
$0.239
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.278
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.207
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
4 A
|
1.15 Ohms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
4.7 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
6.2 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R2K0P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.92
-
1,465En existencias
-
12,000Se espera el 29/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,465En existencias
12,000Se espera el 29/10/2026
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.571
|
|
|
$0.37
|
|
|
$0.284
|
|
|
$0.22
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.256
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.186
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
3 A
|
1.64 Ohms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
3.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
6 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN80R4K5P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.15
-
1,504En existencias
-
24,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R4K5P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,504En existencias
24,000En pedido
Existencias:
1,504 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
12,000 Se espera el 29/10/2026
12,000 Se espera el 11/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
29 Semanas
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.711
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.364
|
|
|
$0.324
|
|
|
$0.244
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
1.5 A
|
3.8 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
6 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.52
-
432En existencias
-
75,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
432En existencias
75,000En pedido
Existencias:
432 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
12,000 Se espera el 27/8/2026
39,000 Se espera el 16/11/2026
24,000 Se espera el 24/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
29 Semanas
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.943
|
|
|
$0.622
|
|
|
$0.487
|
|
|
$0.427
|
|
|
$0.332
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
950 V
|
2 A
|
3.7 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
6 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R060P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.10
-
455En existencias
-
6,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
455En existencias
6,500En pedido
Existencias:
455 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,500 Se espera el 19/8/2026
5,000 Se espera el 18/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$7.10
|
|
|
$4.28
|
|
|
$3.44
|
|
|
$2.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
48 A
|
49 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
164 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.13
-
70En existencias
-
1,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
70En existencias
1,500En pedido
Existencias:
70 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
500 Se espera el 19/8/2026
1,000 Se espera el 7/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas
|
|
|
$5.13
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
31 A
|
77 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
117 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R120P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.43
-
509En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
509En existencias
|
|
|
$4.43
|
|
|
$2.27
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
26 A
|
100 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
95 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R180P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.34
-
1,144En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,144En existencias
|
|
|
$3.34
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
18 A
|
145 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
72 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R120P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.83
-
282En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
282En existencias
|
|
|
$5.83
|
|
|
$3.82
|
|
|
$2.70
|
|
|
$2.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
26 A
|
100 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
95 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA60R060P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.89
-
76En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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76En existencias
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$8.89
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$6.04
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$4.45
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$3.98
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-247-4
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N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
48 A
|
49 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
164 W
|
Enhancement
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CoolMOS
|
Tube
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.66
-
240En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
240En existencias
|
|
|
$6.66
|
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$3.79
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$3.16
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|
$2.81
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
31 A
|
77 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
45 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
117 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPW80R280P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.62
-
113En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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|
113En existencias
|
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|
$4.62
|
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$2.56
|
|
|
$2.11
|
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|
$1.76
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$1.74
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|
Min.: 1
Mult.: 1
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|
Si
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Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
17 A
|
280 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
36 nC
|
- 50 C
|
+ 150 C
|
101 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R360P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.88
-
258,817En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
258,817En pedido
En pedido:
41,317 Se espera el 18/2/2027
185,000 Se espera el 25/2/2027
32,500 Se espera el 11/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
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|
$1.88
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$0.991
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$0.663
|
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|
$0.538
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|
$0.492
|
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$0.416
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
12.5 A
|
300 mOhms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
16.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
59.5 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPP60R280P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.78
-
1En existencias
-
500Se espera el 3/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1En existencias
500Se espera el 3/12/2026
|
|
|
$2.78
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.994
|
|
|
$0.862
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
12 A
|
214 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
53 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPA80R750P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.40
-
8,876En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
8,876En pedido
En pedido:
3,876 Se espera el 27/8/2026
1,500 Se espera el 3/9/2026
3,500 Se espera el 8/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas
|
|
|
$2.40
|
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|
$1.17
|
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|
$1.05
|
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$0.836
|
|
|
Ver
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|
$0.711
|
|
|
$0.707
|
|
|
$0.705
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
7 A
|
640 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
17 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
27 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA60R280P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.20
-
7,000Se espera el 27/8/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
7,000Se espera el 27/8/2026
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.755
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.623
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
12 A
|
214 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
18 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
24 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD60R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
10,118En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
10,118En pedido
En pedido:
5,118 Se espera el 3/12/2026
5,000 Se espera el 18/2/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.872
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.633
|
|
|
$0.559
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
305 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
41 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R360P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
14,898En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
14,898En pedido
En pedido:
8,898 Se espera el 24/12/2026
6,000 Se espera el 8/4/2027
Plazo de entrega de fábrica:
45 Semanas
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.648
|
|
|
$0.521
|
|
|
$0.476
|
|
|
$0.404
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
700 V
|
12.5 A
|
300 mOhms
|
- 16 V, 16 V
|
2.5 V
|
16.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
7.2 W
|
Enhancement
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|