20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8),  TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.

Resultados: 116
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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581En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Hoja de datos
991En existencias
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Carrete: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 286 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Hoja de datos
976En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 225 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
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3,623En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 9 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
Hoja de datos
4,011En existencias
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Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
19,898En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 131 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1,597En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 1.8 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 140 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1,912En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 86 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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9,397En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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1,094En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
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2,538En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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741En existencias
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 176 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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971En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 91 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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893En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.58 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
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764En existencias
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 16 V, 20 V 1.7 V 190 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2
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666En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2,689En existencias
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
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474En existencias
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Si SMD/SMT H-PSOF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 770 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 221 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
Hoja de datos
1,800En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2,632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2,255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 108 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
Hoja de datos
9,720En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 3.4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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9,352En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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16,413En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)
Hoja de datos
9,583En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 55 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel