NVMFWS0D4N04XM Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS0D4N04XM Single N-Channel Power MOSFETs are available in a 5mm x 6mm SO8-FL package with a compact design. These MOSFETs feature 40V drain-to-source voltage, ±20V gate-to-source voltage, and 197W power dissipation (TC=25°C). The NVMFWS0D4N04XM power MOSFETs offer low resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The NVMFWS0D4N04XM power MOSFETs are Pb, halogen and BFR free, and are RoHS compliant. Typical applications include motor drive, battery protection, reverse battery protection, synchronous rectification, switching power supplies, and power switches.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
3,424En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 0.42 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 132 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
1,500Se espera el 20/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 mOhms 20 V 3.5 V 132 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape