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CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 1564.17 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-CGHV14800F

Fabricante N.º:

CGHV14800F

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Hoja de datos:

CGHV14800F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440117
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 100 C
Marca:	MACOM
Kit de desarrollo:	CGHV14800F-TB
Ganancia:	14 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Potencia de salida:	800 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V
Peso de la unidad:	71 g

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Hoja de datos

CGHV14800F Hoja de datos (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.