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TSM060N03PQ33 RGG

Name: Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33 RGG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM060N03PQ33RGG
Price: 1 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TSM060N03PQ33RGG

Fabricante N.º:

TSM060N03PQ33 RGG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 62A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM060N03PQ33 RGG Hoja de datos

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	$0.216	$1,080.00
	$0.213	$2,130.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	25.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	9.6 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.5 ns
Alias de las piezas n.º:	TSM060N03PQ33
Peso de la unidad:	304.151 mg

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ECCN:: EAR99

TSM060N03PQ33 N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM060N03PQ33 N-Channel Power MOSFET features a 30V drain-source voltage, 62A continuous drain current, and 6mΩ on-state resistance. The TSM060N03PQ33 MOSFET provides a low gate charge for fast power switching and minimizes conductive losses. Applications include DC-DC converters, battery power management, and O-ring FETs or load switches.