Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTMFS002N10MCLT1G

Name: onsemi NTMFS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS002N10MCLT1G
Price: 4.31 USD
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-TMFS002N10MCLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS002N10MCLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL HE

Hoja de datos:

NTMFS002N10MCLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTMFS002N10MCLT1G

En existencias: 202

Existencias:: 202

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 3,000

Se espera el 31/7/2026

4,500

Se espera el 4/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 32

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.31	$4.31
	$2.85	$28.50
	$2.11	$211.00
	$1.84	$920.00
	$1.72	$1,720.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.72	$2,580.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	175 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	97 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMFS002N10MCL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTMFS002N10MCLT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS002N10MCL MOSFET

onsemi NTMFS002N10MCL MOSFET is an industrial power MOSFET in a 5mm x 6mm flat lead package. The MOSFET is designed for compact and efficient designs and includes high thermal performance. The NTMFS002N10MCL has a low R_DS(on), low QG, capacitance and is RoHS compliant.