Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SQJ456EP-T1_GE3
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SQJ858AEP-T1_GE3
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AEC-Q101

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30 A

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AEC-Q101

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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SQJ418EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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32 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

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100 W

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60 V

60 A

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80 nC

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30 A

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3.5 mOhms
3.6 mOhms
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4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.6 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms

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30 nC
32 nC
34 nC
35 nC
38 nC
38.3 nC, 45 nC
40 nC
44 nC
55 nC
63 nC
65 nC
71 nC
73 nC
80 nC
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101 nC