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W957D8MFYA5I TR

Name: Winbond W957D8MFYA5I TR
Brand: Winbond
SKU: 454-W957D8MFYA5ITR
Price: 7.65 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

454-W957D8MFYA5ITR

Fabricante N.º:

W957D8MFYA5I TR

Fabricante:

Winbond

Descripción:

DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.65	$7.65
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Winbond
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	HyperRAM
Tamaño de memoria:	128 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	TFBGA-24
Organización:	16 M x 8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Winbond
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

W957D8MFYA5I TR Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.