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TK095N65Z5,S1F

Name: Toshiba TK095N65Z5,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK095N65Z5S1F
Price: 8.38 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK095N65Z5S1F

Fabricante N.º:

TK095N65Z5,S1F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

Hoja de datos:

TK095N65Z5,S1F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$4.33	$519.60
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	95 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	230 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	95 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	75 ns

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Hoja de datos

TK095N65Z5,S1F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Selection Guide 2025 - MOSFETs

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET

Toshiba TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET is a 650V, 95mΩ high-speed MOSFET in a TO-247 package. Designed for use in switching voltage regulator applications, TK095N65Z5 offers a fast recovery time (115ns typical) and a low drain-source on-resistance (0.079Ω typical). This MOSFET provides high-speed switching properties with a low capacitance.