Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

CGHV35400F1

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

941-CGHV35400F1

Fabricante N.º:

CGHV35400F1

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Hoja de datos:

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre MACOM CGHV35400F1

Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440225
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	125 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.9 GHz
Potencia de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

HEMT GaN ajustado de entrada/salida de 50 Ω y 400 W CGHV35400F

El HEMT GaN ajustado de entrada/salida de 50 Ω de 2.9 GHz a 3.5 GHz y 400 W CGHV35400F de Wolfspeed para aplicaciones de amplificadores de radares de banda S ofrece alta eficiencia, alto nivel de ganancia y grandes capacidades de ancho de banda. El transistor CGHV35400F está ajustado en 50 Ω en la entrada y 50 ohmios en la salida.