RD3G08CBLHRBTL

ROHM Semiconductor
755-RD3G08CBLHRBTL
RD3G08CBLHRBTL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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$1.19 $119.00
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$0.915 $915.00
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$0.892 $2,230.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
96 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 14 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 17 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 32 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RD3G08CBLHRB N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N-Channel Power MOSFET is a 40V, 80A, 100% Avalanche-tested semiconductor device with a low on-resistance. This power MOSFET features a ±160A pulse drain current, ±20V gate-source voltage, and 96W power dissipation. The RD3G08CBLHRB N-channel power MOSFET is AEC-Q101 qualified, RoHS-compliant, and comes in a TO-252 (DPAK) package. This power MOSFET operates within the -55°C to 175°C temperature range. Typical applications include Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), infotainment, lighting, and body electronics.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.