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FRDMGD3160HB8EVM

Name: NXP FRDMGD3160HB8EVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-FRDMGD3160HB8EVM
Price: 556.55 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-FRDMGD3160HB8EVM

Fabricante N.º:

FRDMGD3160HB8EVM

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Herramientas de desarrollo de administración de IC Half-Bridge Evaluation Board for P6 IGBT/SiC Modules

Hoja de datos:

FRDMGD3160HB8EVM Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo de administración de IC
RoHS:	N
Producto:	Evaluation Boards
Tipo:	Gate Driver
Voltaje de entrada:	25 V
La Herramienta es para la Evaluación de :	GD3160
Serie:	GD3160
Marca:	NXP Semiconductors
Tipo de producto:	Power Management IC Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Alias de las piezas n.º:	935437116598

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Hoja de datos

FRDMGD3160HB8EVM Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8471500150
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

FRDM Development Boards

NXP Semiconductors FRDM Development Boards include low-cost, compact MCU and MPU boards with an easy development journey and an extensive ecosystem to simplify user designs. The FRDM ecosystem includes comprehensive software/tools, modular hardware, and access to solution-driven examples.

FRDMGD3160HB8EVM Evaluation Kit

NXP Semiconductors FRDMGD3160HB8EVM Evaluation Kit is a demonstration and development platform for the GD3160 Single-Channel Gate Drivers. The GD3160 Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules for xEV traction inverters, OBC, and DC-DC converters. The GD3160 features integrated galvanic isolation, a programmable interface via SPI, and advanced programmable protection options, such as over-temperature, desaturation, and current sense protection. The GD3160 Gate Drivers capably drive SiC MOSFETs and IGBT gates directly utilizing high-performance switching, low dynamic on-resistance, and rail-to-rail gate voltage control.