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NTTFD1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFD1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD1D8N02P1E
Price: 2.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFD1D8N02P1E

Fabricante N.º:

NTTFD1D8N02P1E

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$0.718	$718.00
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	$0.705	$2,115.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V, 25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	61 A, 126 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.4 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V, 2 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC, 37.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	25 W, 36 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	1.7 ns, 5.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.1 ns, 2.3 ns
Serie:	NTTFD1D8N02P1E
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17.3 ns, 37.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.6 ns. 9.4 ns

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Hoja de datos

NTTFD1D8N02P1E Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTTFD1D8N02P1E N-Channel MOSFET

onsemi NTTFD1D8N02P1E N-Channel MOSFET is a dual 25V, Power Clip, asymmetric device. This N-channel MOSFET features R_DS(on) 4.2mΩ HS, 1.4mΩ LS, and 25V_DSS drain−to-source voltage. The NTTFD1D8N02P1E MOSFET also features low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET is offered in a PQFN12 small footprint of 3.3mm x 3.3mm for a compact design. The NTTFD1D8N02P1E device is suitable for DC/DC converters and system voltage rails.