SIHx17N80AEF Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF Series Power MOSFETs deliver a low figure-of-merit and low effective capacitance. The SIHx17N80AEF MOSFETs have reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF Series Power MOSFETs feature an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube