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PJQ5839E-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ5839E-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ5839EAUR202A1
Price: 1.15 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-PJQ5839EAUR202A1

Fabricante N.º:

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos:

PJQ5839E-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	31 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	PJQ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Peso de la unidad:	92 mg

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Hoja de datos

PJQ5839E-AU_R2_002A1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET is a rugged MOSFET with a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @T_C=25°C. This MOSFET also features -31A continuous drain current (@T_C=25°C), 60°C/W thermal resistance (junction to ambient), and -55°C to 175°C junction operating temperature range. The PJQ5839E-AU is AEC-Q101 qualified, 100% UIS tested, and lead-free in compliance with EU RoHS 2.0.

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.