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CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 1242.59 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGHV31500F1

Fabricante N.º:

CGHV31500F1

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

Hoja de datos:

CGHV31500F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:	N
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440226-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	500 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 75 C
Dp - Disipación de potencia :	418 W
Marca:	MACOM
Voltaje máximo drenaje-puerta:	- 2.7 V
Frecuencia de trabajo máxima:	3.1 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.7 GHz
Potencia de salida:	500 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT

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CGHV31500F1 Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.