NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Resultados: 178
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Pwr MOSFET 747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 93 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si 738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 153 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510KTTT 247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 153 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18510KTT 227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 153 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18510Q5B 533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 153 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si 303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 194 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B 342En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 98 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18513Q5AT 1,684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 59 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18513Q5A 567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 59 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18514Q5AT 3,756En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 169 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT 1,305En existencias
9,000Se espera el 12/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 172 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MSFT CSD18533Q5 A A 595-CSD18533Q5AT 2,031En existencias
5,000Se espera el 30/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 29 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl NexFET Pw r MOSFET 1,377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 19 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18535KTT 182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18536KTT 421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-channel NexFET Power MOSFET 592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18542KTTT 540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD18542KTT 152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET 314En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 6.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 38 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 3.4mOhm 80V Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD19502Q5BT 321En existencias
5,000Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET 1,559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 28 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET 748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD19505KTTT 692En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 150 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-CH Power MOSFE T 348En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Tube