NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Resultados: 178
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET
Hoja de datos
1,916En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 9 mOhms - 8 V, 10 V 1.2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET
Hoja de datos
2,549En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4.2 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
Hoja de datos
825En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.7 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 28 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
Hoja de datos
8,927En existencias
9,000Se espera el 23/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
Hoja de datos
1,909En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 32 mOhms - 8 V, 10 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T
Hoja de datos
5,816En existencias
3,000Se espera el 30/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 16.9 mOhms - 8 V, 10 V 600 mV 6 nC - 55 C + 150 C 16 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2
Hoja de datos
2,932En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 16.9 mOhms - 8 V, 10 V 600 mV 6 nC - 55 C + 150 C 16 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET
Hoja de datos
985En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 15.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.6 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH NexFET Pwr MOSF ET A 595-CSD17381F4 A 595-CSD17381F4T
Hoja de datos
9,334En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 109 mOhms - 8 V, 8 V 650 mV 1.04 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A
Hoja de datos
3,696En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 16.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh NexFET Pwr MOSFE T A 595-CSD17581Q5A A 595-CSD17581Q5A
Hoja de datos
1,503En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
1,469En existencias
9,000Se espera el 27/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 22 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A
Hoja de datos
1,121En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 27 nC - 40 C + 85 C 53 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A
Hoja de datos
778En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT
Hoja de datos
2,295En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17578Q5A
Hoja de datos
884En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A
Hoja de datos
185En existencias
500Se espera el 10/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 11.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT
Hoja de datos
2,662En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 11.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A
Hoja de datos
84En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 11.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
Hoja de datos
306En existencias
7,500Se espera el 12/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
Hoja de datos
358En existencias
250Se espera el 20/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT
Hoja de datos
2,391En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N-Chanel NxFT P wr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
614En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 259 W Enhancement NexFET Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18502Q5B
Hoja de datos
426En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch NexFET Powe r MOSFET
Hoja de datos
760En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.9 V 30 nC - 55 C + 150 C 143 W Enhancement NexFET Tube