Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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$1.58

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
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TO-220-3

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1 Channel

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10 A

550 mOhms

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASPBF
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740STRRPBF
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
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1,600Se espera el 8/6/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Cinta cortada

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MouseReel Disponible

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IRF740LCPBF
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10 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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TO-220-3

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IRF740SPBF
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

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Vishay Semiconductors
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IRF740STRLPBF

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844-IRF740STRLPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

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$1.35

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

400 V

10 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740ALPBF
Vishay Semiconductors
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IRF740ALPBF

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844-IRF740ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

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693En existencias

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$3.77

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TO-262-3

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400 V

10 A

550 mOhms

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125 W

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF-BE3
Vishay / Siliconix
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IRF740APBF-BE3

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78-IRF740APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

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5,993Se espera el 13/7/2026

$2.97

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TO-220-3

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1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

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36 nC

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+ 150 C

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

IRF740ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
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IRF740ASTRRPBF

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844-IRF740ASTRRPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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