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SQJQ410EL-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ410EL-T1_GE3
Price: 4.84 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJQ410EL-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJQ410EL-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SQJQ410EL-T1_GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.84	$4.84
	$3.39	$33.90
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$2.30	$4,600.00
	$2.09	$8,360.00
10,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-8x8-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	135 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	150 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	87 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	84 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	SQJQ
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	69 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns
Peso de la unidad:	50 mg

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Hoja de datos

SQJQ410EL-T1_GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.

SQJQ410EL SQ Automotive Power MOSFET

Vishay / Siliconix SQJQ410EL SQ Automotive Power MOSFET is an AEC-Q101-qualified N-channel power MOSFET optimized for use in the automotive industry. Featuring ultra-low R_DS(ON) and TrenchFET® technology, this device is rated for a maximum junction temperature of 175°C. Vishay / Siliconix SQJQ410EL SQ Automotive Power MOSFET is offered in a compact, thermally enhanced PowerPAK^®8 x 8L package, which is 75% thinner and 55% smaller than the D²PAK package.