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NVHL070N120M3S

Name: onsemi NVHL070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL070N120M3S
Price: 16.02 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVHL070N120M3S

Fabricante N.º:

NVHL070N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

Hoja de datos:

NVHL070N120M3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	87 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	160 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	24 ns
Serie:	NVHL070N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	29 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns

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Hoja de datos

NVHL070N120M3S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive SiC MOSFET

onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC Automotive Silicone Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar device optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This device delivers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.