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NTMC083NP10M5L

Name: onsemi NTMC083NP10M5L
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMC083NP10M5L
Price: 0.88 USD
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-NTMC083NP10M5L

Fabricante N.º:

NTMC083NP10M5L

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE

Hoja de datos:

NTMC083NP10M5L Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$0.428	$428.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.413	$1,032.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.5 A, 3.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	83 mOhms, 131 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V, 4 V
Qg - Carga de puerta:	3 nC, 8.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTMC083NP10M5L
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTMC083NP10M5L Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMC083NP10M5L Dual N- & P- Channel Power MOSFET

onsemi NTMC083NP10M5L Dual N- and P- Channel Power MOSFET is designed with low gate charge (Q_G) and capacitance to minimize the driver losses. This MOSFET features low drain-to-source on-resistance (R_DS(on)) to minimize conduction losses. This device is compactly designed with a standard footprint of 5mm x 6mm and is not ESD protected. The NTMC083NP10M5L power MOSFET is ideally used in power tools, battery-operated vacuums, Unmanned Aerial Vehicle (UAV)/drones, material handling, motor drive, and home automation.