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DMTH8001STLWQ-13

Name: Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH8001STLWQ-13
Price: 5.77 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMTH8001STLWQ-13

Fabricante N.º:

DMTH8001STLWQ-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K

Hoja de datos:

DMTH8001STLWQ-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$3.03	$1,515.00
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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$2.48	$3,720.00
24,000	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	270 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	138 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	6 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DMTH8001STLWQ Automotive Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH8001STLW Automotive Enhancement-Mode MOSFET is an N-channel MOSFET featuring a low on-resistance (1.1mΩ typical, 1.7mΩ maximum_⁾ and superior switching performance. The DMTH8001STLW has an 80V drain-source voltage, a 1µA zero gate voltage drain current, and ±100nA gate-source leakage. This device is AEC-Q101 qualified, supported by a PPAP, and optimized for automotive applications.