Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

TK099V65Z,LQ
Toshiba
1: $7.38
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TK099V65Z,LQ

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757-TK099V65ZLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN

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Cinta cortada

$7.38

$4.99

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$3.76

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Envase tipo carrete

$3.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

TK090U65Z,RQ
Toshiba
1: $7.38
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TK090U65Z,RQ

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757-TK090U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ

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Cinta cortada

$7.38

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Envase tipo carrete

$3.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

70 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

TK110N65Z,S1F
Toshiba
1: $7.51
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TK110N65Z,S1F

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757-TK110N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

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432En existencias

$7.51

$3.98

$3.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK090A65Z,S4X
Toshiba
1: $6.35
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TK090A65Z,S4X

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757-TK090A65ZS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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$6.35

$3.27

$3.12

$3.06

Min.: 1
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Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

TK090N65Z,S1F
Toshiba
1: $8.11
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TK090N65Z,S1F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz TO-247

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: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ

TK110U65Z,RQ
Toshiba
1: $5.69
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TK110U65Z,RQ

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757-TK110U65ZRQ

Toshiba

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: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

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- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

TK190U65Z,RQ
Toshiba
1: $4.60
2,000En existencias

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TK190U65Z,RQ

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757-TK190U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ

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$4.60

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

149 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

TK040N65Z,S1F
Toshiba
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1,140Se espera el 27/4/2026

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TK040N65Z,S1F

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757-TK040N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 57A 360W 650V

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1,140Se espera el 27/4/2026

$12.54

$8.16

$8.02

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

TK065U65Z,RQ
Toshiba
1: $8.88
1,180En existencias

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TK065U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK065U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ

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$8.88

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

51 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

TK095N65Z5,S1F
Toshiba
1: $7.36
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N.º de artículo del Fabricante
TK095N65Z5,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK095N65Z5S1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

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$7.36

$4.52

$4.09

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

50 nC

+ 150 C

230 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

TK10E80W,S1X
Toshiba
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TK10E80W,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10E80WS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ

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20En existencias

$5.08

$2.73

$2.48

$2.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

TK10P50W,RQ
Toshiba
1: $2.99
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10P50W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10P50WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=80W F=1MHZ

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299En existencias

Cinta cortada

$2.99

$1.94

$1.40

$1.09

$1.04

Envase tipo carrete

$1.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

9.7 A

430 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

TK065N65Z,S1F
Toshiba
1: $9.45
83Se espera el 21/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK065N65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK065N65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 270W 1MHz TO-247

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83Se espera el 21/5/2026

Cinta cortada

$9.45

$5.59

Envase tipo carrete

$5.59

$5.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

TK040Z65Z,S1F
Toshiba
1: $12.21
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N.º de artículo del Fabricante
TK040Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK040Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360W 1MHz TO-247-4L(T)

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Cinta cortada

$12.21

$7.54

Envase tipo carrete

$7.54

$7.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 25

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

57 A

40 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

DTMOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

TK090Z65Z,S1F
Toshiba
1: $7.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK090Z65Z,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK090Z65ZS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ

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$7.30

$4.33

$3.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSVI

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

TK155U65Z,RQ
Toshiba
2,000: $2.17
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK155U65Z,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK155U65ZRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ

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Envase tipo carrete

$2.17

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

2-10AF1A-9

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

122 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel

DTMOSVI MOSFETs

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