QPD1013SR

Qorvo
772-QPD1013SR
QPD1013SR

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1.7 A
- 40 C
+ 85 C
67 W
2.7 GHz
1.2 GHz
GaN
Marca: Qorvo
Configuración: Single Triple Drain
Kit de desarrollo: QPD1013EVB01
Ganancia: 21.8 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta: 65 V
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 178 W
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD1013
Cantidad de empaque de fábrica: 100
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: HEMT
Alias de las piezas n.º: QPD1013
Peso de la unidad: 7.792 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
TARIC:
8517620000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD1013 GaN RF Transistor

Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz. This single-stage unmatched power transistor is a 150W discrete GaN on SiC device. The QPD1013 RF transistor features an over-molded plastic package and is suitable for numerous applications such as military radar, land mobile, and military radio communications.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$253.35 $253.35
$216.67 $2,166.70
$207.51 $5,187.75
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
$207.51 $20,751.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.