MOSFET de tipo trinchera de canal N BSS138AK

Nexperia BSS138AK N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) in small surface mount packages. These devices utilize Trench MOSFET technology and are logic-level compatible. The AEC-Q101-qualified BSS138AK MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuit applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 60V .22A
Hoja de datos
8,300En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V .22A
Hoja de datos
9,757En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
Hoja de datos
383En existencias
10,000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN1412-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .25A
Hoja de datos
30,000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Hoja de datos
9,770Se espera el 8/2/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel