Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NextPower 80/100V MOSFETs

Nexperia NextPower 80/100V MOSFETs are recommended for high-efficiency switching and high-reliability applications. The NextPower MOSFETs feature 50% lower R_DS(on) and a strong avalanche energy rating. The devices are ideally suited for power supply, telecom, industrial designs, USB-PD Type-C chargers and adapters, and 48V DC-DC adapters. The devices have low body diode losses with Q_rr down to 50 nano-coulombs (nC). This results in lower reverse recovery current (I_RR), lower voltage spikes (V_peak), and reduced ringing for further optimized dead time.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 80V 270A

PSMN1R8-80SSFJ
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PSMN1R8-80SSFJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 N-CH 80V 270A

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SMD/SMT

SOT-1235-4

N-Channel

1 Channel

80 V

270 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

148 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1235 100V 267A N-CH MOSFET

PSMN2R0-100SSFJ
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SMD/SMT

SOT-1235-4

N-Channel

1 Channel

100 V

267 A

2.07 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 65A N-CH MOSFET

PSMN012-100YSFX
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SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A

PSMN4R5-80YSFX
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SMD/SMT

LFPAK56-4

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

PSMN5R5-100YSFX
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SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

100 V

115 A

5.6 mOhms

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4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

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PSMN7R2-100YSFX
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SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

111 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

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+ 175 C

194 W

Enhancement

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PSMN9R8-100YSFX
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$1.21

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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

147 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 150A

PSMN3R5-80YSFX
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SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

80 V

150 A

3.5 mOhms

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294 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET

PSMN015-100YSFX
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PSMN015-100YSFX

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771-PSMN015-100YSFX

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SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

1 Channel

100 V

55 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

105 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N-CH

PSMN3R9-100YSFX
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PSMN3R9-100YSFX

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3,000Se espera el 23/2/2026

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SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

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PSMN4R2-80YSEX
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PSMN4R2-80YSEX

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771-PSMN4R2-80YSEX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 80V 170A

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21En existencias

24,000Se espera el 22/2/2027

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SMD/SMT

SOT-1023-4

N-Channel

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80 V

170 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 100V 120A N-CH

PSMN4R8-100YSEX
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PSMN4R8-100YSEX

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771-PSMN4R8-100YSEX

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$3.48

$2.27

$2.23

$1.59

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SOT-1023-4

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

80 nC

- 55 C

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