U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF
51,790Se espera el 3/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
110,000Se espera el 6/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -12A -12V 1200pF
26,938Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
30,000Se espera el 16/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 8,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package
3,211Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 22.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2,000Se espera el 16/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 242 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 66 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel