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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V 2,500En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 22A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 9,972En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode 984En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode 998En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode 1,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode 980En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode 1,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode 1,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode 290En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 650V, SiC Schottky Diode 300En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 650V, SiC Schottky Diode 273En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode 997En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode 848En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode 977En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode 1,000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode 997En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode 985En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 290En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1,981En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1,988En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1,984En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1,985En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Trench Schottky 5,117En existencias
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