Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

XP60SA290DH
YAGEO XSemi
1: $2.22
2,846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP60SA290DH

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603-XP60SA290DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252

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$2.22

$1.43

$0.969

$0.773

$0.759

Envase tipo carrete

$0.695

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

600 V

13.3 A

290 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1: $2.23
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
XP65SL380DH

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603-XP65SL380DH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252

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Cinta cortada

$2.23

$1.44

$0.973

$0.777

$0.764

Envase tipo carrete

$0.699

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1: $1.80
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XP6NA3R0H

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603-XP6NA3R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252

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$1.80

$1.15

$0.768

$0.607

$0.571

Envase tipo carrete

$0.518

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

60 V

126 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

XP10NA011H
YAGEO XSemi
1: $1.22
2,952En existencias

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XP10NA011H

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603-XP10NA011H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252

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$1.22

$0.765

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$0.392

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$0.309

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

48.5 A

11 mOhms

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+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252

XP10TN135H
YAGEO XSemi
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XP10TN135H

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603-XP10TN135H

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$0.239

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

100 V

8.1 A

135 mOhms

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3 V

11 nC

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+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 62A TO-252

XP3N5R0H
YAGEO XSemi
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XP3N5R0H

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603-XP3N5R0H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 62A TO-252

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SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

5 mOhms

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3 V

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Enhancement

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XP3N9R5AH
YAGEO XSemi
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XP3N9R5AH

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603-XP3N9R5AH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 38.5 A TO-252

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$0.221

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$0.119

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Min.: 1
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SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

30 V

38.5 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

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+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252

XP4N4R2H
YAGEO XSemi
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XP4N4R2H

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SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

XP6NA6R5H
YAGEO XSemi
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XP6NA6R5H

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603-XP6NA6R5H

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252

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SMD/SMT

TO-252-3/2

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1 Channel

60 V

66 A

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- 20 V, 20 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252

XP70SL1K4AH
YAGEO XSemi
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XP70SL1K4AH

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603-XP70SL1K4AH

YAGEO XSemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252

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SMD/SMT

TO-252-3/2

N-Channel

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700 V

3.2 A

1.4 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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