STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Tipo
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de controladores
Número de salidas
Corriente de salida
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Tiempo de subida
Tiempo de caída
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
STMicroelectronics Controladores de puertas High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
Hoja de datos
877En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT SOIC-16 2 Driver 1 Output 5.5 A, 6 A 4.75 V 20 V 7 ns 5 ns - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics Controladores de puertas High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
Hoja de datos
109En existencias
2,500Se espera el 11/5/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT SOIC-16 2 Driver 1 Output 5.5 A, 6 A 4.75 V 20 V 7 ns 5 ns - 40 C + 125 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Controladores de puertas High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Half-Bridge Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT SOIC-16 2 Driver 1 Output 5.5 A, 6 A 4.75 V 20 V 7 ns 5 ns - 40 C + 125 C Bulk