STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Hoja de datos
2,480En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Hoja de datos
5,000Se espera el 12/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

SMD/SMT SMBF-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel