Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

AFT09MP055NR1

Name: NXP AFT09MP055NR1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-AFT09MP055NR1
Price: 32.19 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

841-AFT09MP055NR1

Fabricante N.º:

AFT09MP055NR1

Fabricante:

NXP Semiconductors

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 500 Múltiples: 500

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	$32.19	$16,095.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	7.5 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Frecuencia de trabajo:	764 MHz to 940 MHz
Ganancia:	17.5 dB
Potencia de salida:	57 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-270WB-4
Empaquetado:	Reel
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Número de canales:	2 Channel
Dp - Disipación de potencia :	625 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFT09MP055N
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Alias de las piezas n.º:	935315139528
Peso de la unidad:	1.635 g