MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Name: RAMXEED MB85RS4MLYPF-G-BCERE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S4MLYPFGBCERE1
Price: 13.02 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

249-85S4MLYPFGBCERE1

Fabricante N.º:

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Fabricante:

RAMXEED

Descripción:

F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)

Hoja de datos:

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	RAMXEED
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	50 MHz
Organización:	512 k x 8
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	RAMXEED
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	1.8 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.