XSM6K519NW,LXHF

Toshiba
757-XSM6K519NWLXHF
XSM6K519NW,LXHF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)

Ciclo de vida:
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En existencias: 2,100

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$0.617 $6.17
$0.402 $40.20
$0.309 $154.50
$0.279 $279.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.254 $762.00
$0.227 $1,362.00
$0.21 $1,890.00
$0.203 $4,872.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
40 V
8 A
17.8 mOhms
20 V
2.5 V
6.5 nC
+ 175 C
4.3 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: U-MOSVIII-H
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 50 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 41 ns
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.