XPW4R10ANB,L1XHQ

Toshiba
757-XPW4R10ANBL1XHQ
XPW4R10ANB,L1XHQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ

Modelo ECAD:
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En existencias: 4,754

Existencias:
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$-.--
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.05 $3.05
$1.98 $19.80
$1.37 $137.00
$1.15 $575.00
$1.10 $1,100.00
$1.07 $2,675.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
$0.935 $4,675.00
25,000 Presupuesto
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSOP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
4.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Tiempo de caída: 22 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 21 ns
Serie: U-MOSVIII-H
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 89 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 52 ns
Peso de la unidad: 104 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.