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UJ3N120065K3S

Name: onsemi UJ3N120065K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N120065K3S
Price: 21.1 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

431-UJ3N120065K3S

Fabricante N.º:

UJ3N120065K3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO

Hoja de datos:

UJ3N120065K3S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$13.33	$133.30
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 20 V to 3 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	5 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	34 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	90 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	254 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Nombre comercial:	SiC JFET

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Hoja de datos

UJ3N120065K3S Hoja de datos

Models

UJ3N120065K3S SPICE Model (Texto)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.