UJ3N120035K3S

onsemi
431-UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S

Fabricante:

Descripción:
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
1.2 kV
20 V
63 A
35 mOhms
429 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
Marca: onsemi
Tipo de producto: JFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 600
Subcategoría: Transistors
Nombre comercial: SiC JFET
Peso de la unidad: 13.633 g
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
Filipinas
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.

En existencias: 533

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 30
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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