T2G6003028-FL

Qorvo
772-T2G6003028-FL
T2G6003028-FL

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
NI-200
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Frecuencia de trabajo máxima: 6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Sensibles a la humedad: Yes
Potencia de salida: 30 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: T2G6003028
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: HEMT
Alias de las piezas n.º: T2G6003028 1100007
Peso de la unidad: 12.115 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

T2G GaN HEMT Transistors

Qorvo T2G GaN HEMT Transistors are 15W to 30W (P3dB) discrete Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC to 3.5GHz and 6.0GHz. These devices are constructed with Qorvo's proven TQGaN25 process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

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