Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

STGWA50M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA50M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA50M65DF2
Price: 5.31 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-STGWA50M65DF2

Fabricante N.º:

STGWA50M65DF2

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads

Complete su diseño

Hoja de datos:

STGWA50M65DF2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics STGWA50M65DF2

En existencias: 692

Existencias:: 692 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$5.31	$5.31
	$3.04	$30.40
	$2.14	$214.00
	$2.02	$1,212.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	80 A
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	HB2
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	80 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	+/- 250 uA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

STGWA50M65DF2 Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

650V IH Series IGBTs

STMicroelectronics 650V IH Series IGBTs offer high efficiency for induction heating systems and soft switching applications. The STMicroelectronics IGBTs belong to the STPOWER™ family that exceeds the HB series, currently used for induction heating applications. The 650V IH series ensures increased efficiency in final applications thanks to a lower V_CE(sat) combined with very low turn-off energy. 40A and 50A devices are already available in TO-247 Long Leads packages, and 20A and 30A devices are being developed.