STGB30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Modelo ECAD:
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En existencias: 79

Existencias:
79
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Plazo de entrega de fábrica:
15
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.29 $3.29
$2.13 $21.30
$1.57 $157.00
$1.33 $665.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$1.13 $1,130.00
$1.07 $2,140.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30H60DFB
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 60 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: IGBTs
Peso de la unidad: 1.380 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.