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SSM6N357R,LF

Name: Toshiba SSM6N357R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6N357RLF
Price: 0.66 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM6N357RLF

Fabricante N.º:

SSM6N357R,LF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

Hoja de datos:

SSM6N357R,LF Hoja de datos (PDF)

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	$0.261	$26.10
	$0.199	$99.50
	$0.178	$178.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.145	$435.00
	$0.134	$804.00
	$0.129	$1,161.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSOP-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	650 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MOSV
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Transconductancia hacia delante - Mín.:	500 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6N357R
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	3000 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	990 ns
Peso de la unidad:	20 mg

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Hoja de datos

SSM6N357R,LF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (V_DS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (V_GS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs

Toshiba SSM6N357R and SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel components designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with two channels, whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These AEC-Q101-qualified MOSFETs feature a 3V gate drive voltage, built-in internal Zener diodes/resistors, and a 2kV class Human Body Model (HBM) ESD rating. The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, +150°C maximum channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy.

SSM6x N- & P-Channel MOSFETs

Toshiba SSM6x N- and P-Channel MOSFETs with high-speed switching operate as both power management and analog switches. These MOSFETs provide very low on-resistance (as low as 1.1mΩ to a 115mΩ maximum) for different gate-to-source voltage ranges. The SSM6x MOSFETs are available in small profile packages with surface mount compatibility. These MOSFETs offer a low drain to source on-resistance, operate as DC-to-DC converters, and drive a 1.2V to 4.5V gate voltage. The Toshiba SSM6x MOSFETs deliver less drain power dissipation (up to 150mW), producing less heat while operating within a 12V to 100V input voltage range.