SSM3K17FU,LF

Toshiba
757-SSM3K17FULF
SSM3K17FU,LF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V

Modelo ECAD:
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En existencias: 34,224

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Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.27 $0.27
$0.19 $1.90
$0.118 $11.80
$0.086 $43.00
$0.067 $67.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.058 $174.00
$0.042 $252.00
$0.037 $333.00
$0.035 $840.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
100 mA
20 Ohms
- 7 V, 7 V
900 mV
- 55 C
+ 150 C
150 mW
Enhancement
AEC-Q101
MOSV
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
País de ensamblaje: TH
País de difusión: JP
País de origen: TH
Transconductancia hacia delante - Mín.: 20 mS
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: SSM3K17FU
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 100 ns
Peso de la unidad: 6 mg
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Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products
may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further assistance.
5-0320-2

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.