SI4459ADY-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI4459ADY-T1-GE3
SI4459ADY-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8

Modelo ECAD:
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16
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$3.00 $3.00
$2.08 $20.80
$1.45 $145.00
$1.15 $575.00
$1.08 $1,080.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.945 $2,362.50
$0.931 $4,655.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
30 V
29 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
129 nC
- 55 C
+ 150 C
7.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 24 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 16 ns
Serie: SI4
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 80 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Alias de las piezas n.º: SI4459ADY-GE3
Peso de la unidad: 750 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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