SCT4045DRHRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DRHRC15
SCT4045DRHRC15

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
750 V
34 A
59 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
115 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 9.3 S
Empaquetado: Tube
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 16 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Polaridad del transistor: N-Channel
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 27 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 5.1 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4045DRHR
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

En existencias: 311

Existencias:
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