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SCS240AE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS240AE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS240AE2HRC11
Price: 15.06 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SCS240AE2HRC11

Fabricante N.º:

SCS240AE2HRC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC AECQ

Hoja de datos:

SCS240AE2HRC11 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$15.06	$15.06
	$9.22	$92.20
	$8.15	$815.00
	$7.84	$3,528.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Configuración:	Dual
If - Corriente directa:	40 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.55 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	130 A
Ir - Corriente inversa:	400 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Dp - Disipación de potencia :	270 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	SCS240AE2HR

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.