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RH7G04BBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04BBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04BBJFRATCB
Price: 2.34 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RH7G04BBJFRATCB

Fabricante N.º:

RH7G04BBJFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN3333 P-CH 40V 40A

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	$0.779	$779.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.664	$1,992.00
	$0.656	$3,936.00
	$0.649	$5,841.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	75 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	97 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	24 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	175 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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